Tillverkare Produktnummer:
HUF75542P3
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
HUF75542P3-DG
Beskrivning:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
1690 Pcs Ny Original I Lager
12947233
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
HUF75542P3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
UltraFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
14mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 20 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2750 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
230W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
173
Andra namn
2156-HUF75542P3
FAIFSCHUF75542P3
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDS8876
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
PSMN2R7-30BL,118
NOW NEXPERIA PSMN2R7-30BL - 100A
IRF6795MTRPBF
IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
