FQPF10N50CF
Tillverkare Produktnummer:

FQPF10N50CF

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQPF10N50CF-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventarier:

67211 Pcs Ny Original I Lager
12947286
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQPF10N50CF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
FRFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
610mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2096 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
48W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
223
Andra namn
FAIFSCFQPF10N50CF
2156-FQPF10N50CF

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
renesas-electronics-america

RJK1535DPE-LE

40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M

fairchild-semiconductor

FDD8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRF2805STRL

MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

nxp-semiconductors

PHB66NQ03LT

NOW NEXPERIA 66A, 25V, 0.0136OHM