FQP2N80
Tillverkare Produktnummer:

FQP2N80

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQP2N80-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

900 Pcs Ny Original I Lager
12946701
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQP2N80 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
85W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
FQP2N80 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
415
Andra namn
2156-FQP2N80
FAIFSCFQP2N80

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDPF680N10T

MOSFET N-CH 100V 12A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI8N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

fairchild-semiconductor

FQP7P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7