FQP14N30
Tillverkare Produktnummer:

FQP14N30

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQP14N30-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 300 V 14.4A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

11261 Pcs Ny Original I Lager
12946600
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQP14N30 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
300 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
290mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
147W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
294
Andra namn
2156-FQP14N30
FAIFSCFQP14N30

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FQN1N60CTA

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF6724MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT

fairchild-semiconductor

FDPF5N50NZF

MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F

international-rectifier

AUIRF1404S

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK