FQP12N60C
Tillverkare Produktnummer:

FQP12N60C

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQP12N60C-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

4340 Pcs Ny Original I Lager
12946769
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQP12N60C Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
225W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
166
Andra namn
FAIFSCFQP12N60C
2156-FQP12N60C

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
international-rectifier

IRF2805PBF

IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQI5N60CTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

fairchild-semiconductor

FQP3P20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQA44N30

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4