FQI6N60CTU
Tillverkare Produktnummer:

FQI6N60CTU

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQI6N60CTU-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventarier:

1844 Pcs Ny Original I Lager
12907680
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQI6N60CTU Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Tube
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262 (I2PAK)
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad
FQI6N60CTU

Ytterligare information

Standard-paket
398
Andra namn
FAIFSCFQI6N60CTU
2156-FQI6N60CTU-FS

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFBF30SPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF614S

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

vishay-siliconix

IRF744PBF

MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB

littelfuse

IXFB40N110P

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264