Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FQB6N40CTM
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FQB6N40CTM-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
1600 Pcs Ny Original I Lager
12946633
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQB6N40CTM Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
400 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
625 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
73W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Datablad
FQB6N40CTM
Ytterligare information
Standard-paket
369
Andra namn
ONSFSCFQB6N40CTM
2156-FQB6N40CTM
Miljö- och exportklassificering
HTSUS (HTSUS)
0000.00.0000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDMS0348
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FQP6N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FDMC7570S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDC653N
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI