FQB6N40CTM
Tillverkare Produktnummer:

FQB6N40CTM

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQB6N40CTM-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

1600 Pcs Ny Original I Lager
12946633
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQB6N40CTM Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
400 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
625 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
73W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
369
Andra namn
ONSFSCFQB6N40CTM
2156-FQB6N40CTM

Miljö- och exportklassificering

HTSUS (HTSUS)
0000.00.0000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDMS0348

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQP6N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

FDMC7570S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDC653N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI