Tillverkare Produktnummer:
FDS6990S
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FDS6990S-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 30V 7.5A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
6294 Pcs Ny Original I Lager
12935176
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDS6990S Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
rds på (max) @ id, vgs
22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1233pF @ 15V
Effekt - Max
900mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Grundläggande produktnummer
FDS6990
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
296
Andra namn
2156-FDS6990S
FAIFSCFDS6990S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
EMH2603-TL-E
PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES
NDH8321C
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A SUPERSOT
NTHD4102PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
