FDS6692A
Tillverkare Produktnummer:

FDS6692A

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDS6692A-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

1731 Pcs Ny Original I Lager
12947363
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDS6692A Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1610 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.47W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
582
Andra namn
2156-FDS6692A
FAIFSCFDS6692A

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
nxp-semiconductors

PHB110NQ08T,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

SI3443DV

MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

nexperia

PMPB85ENEA/F,115

PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL

fairchild-semiconductor

FQI4N90TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4