FDS6676
Tillverkare Produktnummer:

FDS6676

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDS6676-DG

Beskrivning:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 14.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

13765 Pcs Ny Original I Lager
12934789
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDS6676 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 5 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5103 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
157
Andra namn
2156-FDS6676
FAIFSCFDS6676

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

FSS145-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET

fairchild-semiconductor

FDU6682_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFR210BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

RJK0346DPA-WS#J0

N-CHANNEL POWER MOSFET