FDS2170N3
Tillverkare Produktnummer:

FDS2170N3

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDS2170N3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventarier:

2627 Pcs Ny Original I Lager
13077234
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDS2170N3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Emballage
Bulk
Status för delar
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datablad och dokument

Datablad
FDS2170N3

Ytterligare information

Standard-paket
145
Andra namn
2156-FDS2170N3-FSTR
FAIFSCFDS2170N3

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDU7030BL

MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK

fairchild-semiconductor

FDPF7N50F

MOSFET N-CH 500V 6A TO220F

fairchild-semiconductor

FDMS8674

MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN

nec-corporation

NP82N04NLG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 82A TO262