FDMS8026S

Tillverkare Produktnummer:

FDMS8026S

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDMS8026S-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 19A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventarier:

42641 Pcs Ny Original I Lager

12947026

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDMS8026S Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Förpackning

Bulk

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

19A (Ta), 22A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

4.3mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

37 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2280 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.5W (Ta), 41W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-PQFN (5x6)

Paket / Fodral

8-PowerTDFN

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

314

Andra namn

2156-FDMS8026S

ONSONSFDMS8026S

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

fairchild-semiconductor

FQI50N06TU

MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK

fairchild-semiconductor

FDMS86152

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDPF7N60NZT

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FDMS7698

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1