FDD5N50TM
Tillverkare Produktnummer:

FDD5N50TM

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDD5N50TM-DG

Beskrivning:

4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventarier:

2984 Pcs Ny Original I Lager
12947183
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDD5N50TM Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
40W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (DPAK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
919
Andra namn
2156-FDD5N50TM
FAIFSCFDD5N50TM

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

NTR3A085PZT1G

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF6613TRPBF

IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW

infineon-technologies

IPP80R1K2P7

IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN

nxp-semiconductors

NX7002BKW115

NOW NEXPERIA NX7002BKW SMALL SIG