FDB5645
Tillverkare Produktnummer:

FDB5645

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDB5645-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 80A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

7652 Pcs Ny Original I Lager
13076008
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDB5645 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Emballage
Bulk
Status för delar
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4468 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-65°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad och dokument

Datablad
FDB5645

Ytterligare information

Standard-paket
79
Andra namn
FAIFSCFDB5645
2156-FDB5645-FSTR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

HUF75623P3

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDS6299S

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

nec-corporation

NP80N04NDG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 80A TO262

fairchild-semiconductor

HUFA76609D3ST

MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA