Tillverkare Produktnummer:
FCP260N60E
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FCP260N60E-DG
Beskrivning:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
200 Pcs Ny Original I Lager
12946233
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCP260N60E Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
SuperFET® II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
260mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
156W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
200
Andra namn
FAIFSCFCP260N60E
2156-FCP260N60E
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BUK765R2-40B,118
TRANSISTOR >30MHZ
FCP104N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
AUIRFP1405-203
AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A
