FCH041N65F-F085
Tillverkare Produktnummer:

FCH041N65F-F085

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FCH041N65F-F085-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247

Inventarier:

163 Pcs Ny Original I Lager
12954010
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FCH041N65F-F085 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
SuperFET® II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
41mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
304 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13566 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
595W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-3

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
32
Andra namn
2156-FCH041N65F-F085
ONSFSCFCH041N65F-F085

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

BTS240AHKSA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

vishay-siliconix

IRLU024PBF

MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA

vishay-siliconix

IRFR9020TRPBF

MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK

vishay-siliconix

SI7107DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8