Tillverkare Produktnummer:
FCA22N60N
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FCA22N60N-DG
Beskrivning:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventarier:
545 Pcs Ny Original I Lager
12978481
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCA22N60N Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
SupreMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
205W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PN
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
65
Andra namn
2156-FCA22N60N
ONSFSCFCA22N60N
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IAUC120N06S5N017ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
IRFR010PBF-BE3
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
DMP510DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
