FCA22N60N
Tillverkare Produktnummer:

FCA22N60N

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FCA22N60N-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventarier:

545 Pcs Ny Original I Lager
12978481
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FCA22N60N Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
SupreMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
205W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PN
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
65
Andra namn
2156-FCA22N60N
ONSFSCFCA22N60N

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IAUC120N06S5N017ATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43

vishay-siliconix

IRFR010PBF-BE3

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

diodes

DMP510DLQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

diodes

DMTH8001STLW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10