Tillverkare Produktnummer:
BS170-D26Z
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
BS170-D26Z-DG
Beskrivning:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventarier:
146646 Pcs Ny Original I Lager
12947065
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BS170-D26Z Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
830mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-92-3
Paket / Fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,143
Andra namn
ONSFSCBS170-D26Z
2156-BS170-D26Z
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFU5410PBF
IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO
FDPF10N60ZUT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
IRF6775MTRPBF
IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
