Tillverkare Produktnummer:
EPC2110
Product Overview
Tillverkare:
EPC
DiGi Electronics Delenummer:
EPC2110-DG
Beskrivning:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 120V 3.4A Die
Inventarier:
14435 Pcs Ny Original I Lager
12795187
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
EPC2110 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
EPC
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Produktens status
Active
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.4A
rds på (max) @ id, vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
Effekt - Max
-
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paket / Fodral
Die
Paket för leverantörsenhet
Die
Grundläggande produktnummer
EPC211
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
917-1152-6
917-1152-2
917-1152-1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0040
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
EPC2107
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
EPC2111
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
EPC2103
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
