Tillverkare Produktnummer:
EPC2018
Product Overview
Tillverkare:
EPC
DiGi Electronics Delenummer:
EPC2018-DG
Beskrivning:
GANFET N-CH 150V 12A DIE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 12A (Ta) Surface Mount Die
Inventarier:
12816649
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
EPC2018 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
EPC
Förpackning
-
Serie
eGaN®
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (max)
+6V, -5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
Die
Paket / Fodral
Die
Grundläggande produktnummer
EPC20
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
917-1034-6
917-1034-1
917-1034-2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0040
Alternativa modeller
DELNUMMER
EPC2010C
Tillverkare
EPC
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6905
DEL NUMMER
EPC2010C-DG
ENHETSPRIS
3.21
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
CSD18531Q5AT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
IPW65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
IRF540Z
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
