Tillverkare Produktnummer:
EPC2016
Product Overview
Tillverkare:
EPC
DiGi Electronics Delenummer:
EPC2016-DG
Beskrivning:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 11A (Ta) Surface Mount Die
Inventarier:
12815126
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
EPC2016 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
EPC
Förpackning
-
Serie
eGaN®
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V
rds på (max) @ id, vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (max)
+6V, -5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
Die
Paket / Fodral
Die
Grundläggande produktnummer
EPC20
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
917-1027-2
917-1027-1
917-1027-6
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0040
Alternativa modeller
DELNUMMER
EPC2016C
Tillverkare
EPC
ANTAL TILLGÄNGLIGT
177045
DEL NUMMER
EPC2016C-DG
ENHETSPRIS
1.07
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIPC03N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
DN3765K4-G
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
