EPC2012
Tillverkare Produktnummer:

EPC2012

Product Overview

Tillverkare:

EPC

DiGi Electronics Delenummer:

EPC2012-DG

Beskrivning:

GANFET N-CH 200V 3A DIE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 3A (Ta) Surface Mount Die

Inventarier:

12795186
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

EPC2012 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
EPC
Förpackning
-
Serie
eGaN®
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V
rds på (max) @ id, vgs
100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1.8 nC @ 5 V
Vgs (max)
+6V, -5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
145 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
Die
Paket / Fodral
Die
Grundläggande produktnummer
EPC20

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
917-1017-1
917-1017-6
-917-1017-1
917-1017-2
-917-1017-2

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0040

Alternativa modeller

DELNUMMER
EPC2012C
Tillverkare
EPC
ANTAL TILLGÄNGLIGT
15613
DEL NUMMER
EPC2012C-DG
ENHETSPRIS
1.19
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
epc

EPC2007

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

epc

EPC2054

TRANS GAN 200V DIE 43MOHM

epc

EPC2206

GANFET N-CH 80V 90A DIE

epc

EPC2203

GANFET N-CH 80V 1.7A DIE