Tillverkare Produktnummer:
EPC7003AC
Product Overview
Tillverkare:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Delenummer:
EPC7003AC-DG
Beskrivning:
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 10A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventarier:
144 Pcs Ny Original I Lager
13002661
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
EPC7003AC Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
EPC Space
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
42mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.4mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 5 V
Vgs (max)
+6V, -4V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
168 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
4-SMD
Paket / Fodral
4-SMD, No Lead
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
4107-EPC7003A
4107-EPC7003A-DG
EPC7003A
4107-EPC7003AC
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS (HTSUS)
0000.00.0000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMN2710UFB-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
SSM6K824R,LF
N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
SIHP074N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
