Tillverkare Produktnummer:
ZXMN2B03E6TA
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
ZXMN2B03E6TA-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 4.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventarier:
2518 Pcs Ny Original I Lager
12904987
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
ZXMN2B03E6TA Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-6
Paket / Fodral
SOT-23-6
Grundläggande produktnummer
ZXMN2
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
ZXMN2B03E6DKR
ZXMN2B03E6CT
ZXMN2B03E6TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SI3442BDV-T1-E3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
26929
DEL NUMMER
SI3442BDV-T1-E3-DG
ENHETSPRIS
0.17
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RUQ050N02TR
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2985
DEL NUMMER
RUQ050N02TR-DG
ENHETSPRIS
0.31
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFBC40LCL
MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
IRF740LCSTRR
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
ZVN3310ASTOB
MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
