ZVN3310ASTZ

Tillverkare Produktnummer:

ZVN3310ASTZ

Product Overview

Tillverkare:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

ZVN3310ASTZ-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventarier:

Förfrågan Online

12906218

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

ZVN3310ASTZ Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Diodes Incorporated

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

100 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

200mA (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

40 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

625mW (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fodral

E-Line-3

Grundläggande produktnummer

ZVN3310

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

2,000

Andra namn

31-ZVN3310ASTZDKR

31-ZVN3310ASTZDKR-DG

31-ZVN3310ASTZCT

31-ZVN3310ASTZDKRINACTIVE

ZVN3310ASTZ-DG

31-ZVN3310ASTZTR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.21.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

diodes

ZXMP10A18GTA

MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

vishay-siliconix

IRF9610PBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR310TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRF830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB