Tillverkare Produktnummer:
HTMN5130SSD-13
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
HTMN5130SSD-13-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO
Inventarier:
12905133
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
HTMN5130SSD-13 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A
rds på (max) @ id, vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
218.7pF @ 25V
Effekt - Max
1.7W
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Grundläggande produktnummer
HTMN5130
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
HTMN5130SSD-13DICT
HTMN5130SSD-13DI-DG
HTMN5130SSD-13DITR
HTMN5130SSD-13DIDKR
HTMN5130SSD-13DI
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
DMNH6042SSDQ-13
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7116
DEL NUMMER
DMNH6042SSDQ-13-DG
ENHETSPRIS
0.34
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
ZXMD63P02XTA
MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
SP8M10FRATB
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
ZXMN10A08DN8TC
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO