DMT64M8LCG-13
Tillverkare Produktnummer:

DMT64M8LCG-13

Product Overview

Tillverkare:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMT64M8LCG-13-DG

Beskrivning:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 16.1A (Ta), 77.8A (Tc) 990mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

Inventarier:

Förfrågan Online
12979178
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

DMT64M8LCG-13 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
47.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2664 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
990mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
V-DFN3333-8 (Type B)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN

Datablad och dokument

Datablad
DMT64M8LCG

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
31-DMT64M8LCG-13TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
DMT64M8LCG-7
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
DMT64M8LCG-7-DG
ENHETSPRIS
0.33
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
diodes

DMP31D7L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMN3009LFVQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMP6250SEQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R

diodes

DMTH8028LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33