Tillverkare Produktnummer:
DMT35M4LFVW-7
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMT35M4LFVW-7-DG
Beskrivning:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 60A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventarier:
2000 Pcs Ny Original I Lager
13000759
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMT35M4LFVW-7 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Ta), 60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
982 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount, Wettable Flank
Paket för leverantörsenhet
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
DMT35M4LF
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
31-DMT35M4LFVW-7TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMT10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMP6018LPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMN3061SW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
