Tillverkare Produktnummer:
DMP6111SVT-7
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMP6111SVT-7-DG
Beskrivning:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 2.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Inventarier:
13269190
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMP6111SVT-7 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
115mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1283 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
-
Kvalifikation
-
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TSOT-26
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
31-DMP6111SVT-7TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IMZA75R008M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IRLB3036PBFXKMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUCN04S7N009ATMA1
MOSFET_(20V 40V)