DMNH6008SCTQ

Tillverkare Produktnummer:

DMNH6008SCTQ

Product Overview

Tillverkare:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMNH6008SCTQ-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 60 V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

311 Pcs Ny Original I Lager

12887804

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

DMNH6008SCTQ Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Diodes Incorporated

Förpackning

Tube

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

60 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

130A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

21 nC @ 10 V

Vgs (max)

20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2596 pF @ 30 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

210W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gradera

Automotive

Kvalifikation

AEC-Q101

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-220-3

Paket / Fodral

TO-220-3

Grundläggande produktnummer

DMNH6008

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

DMNH6008SCTQ-DG

Ytterligare information

Standard-paket

50

Andra namn

DMNH6008SCTQDI

DMNH6008SCTQ-DG

-DMNH6008SCTQDI

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

diodes

DMN2028UVT-13

MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

diodes

DMP4011SPSQ-13

MOSFET P-CH 40V PWRDI5060

diodes

DMG301NU-13

MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23

diodes

DMG4468LFG

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN