Tillverkare Produktnummer:
DMN6041SVT-13
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMN6041SVT-13-DG
Beskrivning:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 4.1A (Ta) 900mW Surface Mount TSOT-26
Inventarier:
13269084
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMN6041SVT-13 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
48mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
900mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
-
Kvalifikation
-
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TSOT-26
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
10,000
Andra namn
31-DMN6041SVT-13TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMP6111SVTQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
IAUMN10S5N016GATMA1
MOSFET_(75V 120V(
DMN39M1LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
