DMN26D0UFB4-7
Tillverkare Produktnummer:

DMN26D0UFB4-7

Product Overview

Tillverkare:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMN26D0UFB4-7-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Inventarier:

Förfrågan Online
12950766
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

DMN26D0UFB4-7 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14.1 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
X2-DFN1006-3
Paket / Fodral
3-XFDFN
Grundläggande produktnummer
DMN26

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
DMN26D0UFB4-7DICT
DMN26D0UFB4-7DIDKR
DMN26D0UFB47
DMN26D0UFB4-7DITR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
NTNS3164NZT5G
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
53648
DEL NUMMER
NTNS3164NZT5G-DG
ENHETSPRIS
0.08
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
diodes

ZVN4424GQTA

MOSFET N-CH 240V SOT223 T&R

infineon-technologies

ISC010N04NM6ATMA1

TRENCH <= 40V

infineon-technologies

IPP055N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IPP040N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V