Tillverkare Produktnummer:
DMN2451UFB4Q-7R
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMN2451UFB4Q-7R-DG
Beskrivning:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventarier:
12987710
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMN2451UFB4Q-7R Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
32 pF @ 16 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
660mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
X2-DFN1006-3
Paket / Fodral
3-XFDFN
Grundläggande produktnummer
DMN2451
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
31-DMN2451UFB4Q-7RTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
DMN2451UFB4Q-7B
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
135
DEL NUMMER
DMN2451UFB4Q-7B-DG
ENHETSPRIS
0.02
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
DMN2451UFB4-7B
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
DMN2451UFB4-7B-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
E3M0060065K
60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
2SK3798(STA4,Q,M)
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
DI020P06PT
MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
