Tillverkare Produktnummer:
DMN2310U-7
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMN2310U-7-DG
Beskrivning:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 1.6A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventarier:
14943 Pcs Ny Original I Lager
13000715
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMN2310U-7 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
175mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
38 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
480mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
DMN2310
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
31-DMN2310U-7TR
31-DMN2310U-7DKR
31-DMN2310U-7CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMTH8008LFG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
STP80N600K6
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
STWA65N023M9
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
