Tillverkare Produktnummer:
DMN2025U
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMN2025U-DG
Beskrivning:
DIODE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 5.6A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
Inventarier:
12974765
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMN2025U Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
485 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
800mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
DMN2025
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
31-DMN2025U
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MMFTN3422K
MOSFET, SOT-23, 30V, 4.2A, 0, 1.
DI050N06D1
MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
PJD8NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
