Tillverkare Produktnummer:
DMN2013UFX-7
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMN2013UFX-7-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6
Inventarier:
12891987
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMN2013UFX-7 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
rds på (max) @ id, vgs
11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
57.4nC @ 8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2607pF @ 10V
Effekt - Max
2.14W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-VFDFN Exposed Pad
Paket för leverantörsenhet
W-DFN5020-6
Grundläggande produktnummer
DMN2013
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
DMN2013UFX-7DITR
DMN2013UFX-7DIDKR
DMN2013UFX-7DICT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMG6301UDW-7
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
DMC21D1UDA-7B
MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN
DMN2004DWK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
