DMN2011UFDF-13
Tillverkare Produktnummer:

DMN2011UFDF-13

Product Overview

Tillverkare:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMN2011UFDF-13-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventarier:

9286 Pcs Ny Original I Lager
12882798
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

DMN2011UFDF-13 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14.2A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2248 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Fodral
6-UDFN Exposed Pad
Grundläggande produktnummer
DMN2011

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
10,000
Andra namn
31-DMN2011UFDF-13DKR
31-DMN2011UFDF-13CT
31-DMN2011UFDF-13TR
DMN2011UFDF-13-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
diodes

DMN10H170SFG-7

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

diodes

DMN3900UFA-7B

MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN

diodes

2N7002E-7-F

MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3

diodes

DMN4800LSSQ-13

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO