DMN13H750S-7
Tillverkare Produktnummer:

DMN13H750S-7

Product Overview

Tillverkare:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMN13H750S-7-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 130 V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventarier:

7911 Pcs Ny Original I Lager
12900438
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

DMN13H750S-7 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
130 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
750mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
231 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
770mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
DMN13

Datablad och dokument

Datablad
DMN13H750S
Datasheets
DMN13H750S-7
HTML-Datasheet
DMN13H750S-7-DG

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
DMN13H750S-7DITR
DMN13H750S-7DIDKR
DMN13H750S-7DICT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
taiwan-semiconductor

TSM600N25ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251

diodes

DMT3006LFV-7

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

diodes

DMN61D8LQ-13

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

taiwan-semiconductor

TSM4NB60CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220