DMJ70H1D3SJ3

Tillverkare Produktnummer:

DMJ70H1D3SJ3

Product Overview

Tillverkare:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMJ70H1D3SJ3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

Inventarier:

Förfrågan Online

12888383

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

DMJ70H1D3SJ3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Diodes Incorporated

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

700 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4.6A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

13.9 nC @ 10 V

Vgs (max)

±30V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

351 pF @ 50 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

41W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-251

Paket / Fodral

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Grundläggande produktnummer

DMJ70

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

DMJ70H1D3SJ3-DG

Ytterligare information

Standard-paket

75

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

diodes

DMP3007SCG-7

MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN

diodes

DMP32D4S-13

MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23

diodes

DMG2302UK-7

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23

diodes

DMT6005LCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB