Tillverkare Produktnummer:
DMG4N65CTI
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMG4N65CTI-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Inventarier:
12882720
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMG4N65CTI Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
8.35W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
ITO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grundläggande produktnummer
DMG4
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TSM4ND65CI
Tillverkare
Taiwan Semiconductor Corporation
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1845
DEL NUMMER
TSM4ND65CI-DG
ENHETSPRIS
1.04
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BS170FTA
MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
DMP21D0UFB-7
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
DMNH4005SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8
