DMG4N60SJ3
Tillverkare Produktnummer:

DMG4N60SJ3

Product Overview

Tillverkare:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMG4N60SJ3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

Inventarier:

Förfrågan Online
12891862
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

DMG4N60SJ3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
532 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
41W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
DMG4

Ytterligare information

Standard-paket
75

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
diodes

DMP1009UFDF-13

MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN

diodes

DMN2020UFCL-7

MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6

diodes

DMN2040U-13

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1

diodes

DMN2029UVT-13

MOSFET N-CH 6.8A TSOT26