Tillverkare Produktnummer:
DMG3415UFY4Q-7
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMG3415UFY4Q-7-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 16 V 2.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2015-3
Inventarier:
53259 Pcs Ny Original I Lager
12890531
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMG3415UFY4Q-7 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
16 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
282 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
650mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
X2-DFN2015-3
Paket / Fodral
3-XDFN
Grundläggande produktnummer
DMG3415
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
DMG3415UFY4Q-7DIDKR
DMG3415UFY4Q-7DICT
DMG3415UFY4Q-7DITR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPN2R503NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
TPCP8001-H(TE85LFM
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
TPCA8008-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
