2N7002-7-F
Tillverkare Produktnummer:

2N7002-7-F

Product Overview

Tillverkare:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

2N7002-7-F-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventarier:

542836 Pcs Ny Original I Lager
12882636
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

2N7002-7-F Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
115mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
370mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
2N7002

Datablad och dokument

Datablad
2N7002 Datasheet
Datasheets
2N7002-7-F
HTML-Datasheet
2N7002-7-F-DG

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
2N70027F
2N7002-FDITR
2N7002-FDICT
2N7002-FDIDKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFBE30STRLPBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

vishay-siliconix

IRFBC40L

MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK

diodes

DMT10H015LSS-13

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

diodes

DMN3051LDM-7

MOSFET N-CH 30V 4A SOT26