Tillverkare Produktnummer:
AS1M025120P
Product Overview
Tillverkare:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Delenummer:
AS1M025120P-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
124 Pcs Ny Original I Lager
13001331
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
AS1M025120P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Anbon Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
463W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
4530-AS1M025120P
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
G45P40T
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
MMFTP3334K
MOSFET SOT23 P -30V -4A 0.071OHM
MCU110N08Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,DPAK