Tillverkare Produktnummer:
AOTF11S65L
Product Overview
Tillverkare:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
AOTF11S65L-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventarier:
2967 Pcs Ny Original I Lager
12849651
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
AOTF11S65L Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Förpackning
Tube
Serie
aMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
399mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
646 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
31W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
AOTF11
Datablad och dokument
Produkt Ritningar
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
AOTF11S65L-DG
785-1517-5
5202-AOTF11S65L
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AOWF11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
FQI1P50TU
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
