Tillverkare Produktnummer:
AOT66613L
Product Overview
Tillverkare:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
AOT66613L-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 44.5A (Ta), 120A (Tc) 8.3W (Ta), 260W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
12971140
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
AOT66613L Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Förpackning
Tube
Serie
AlphaSGT™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44.5A (Ta), 120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
8.3W (Ta), 260W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
AOT66613
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
785-AOT66613L
5202-AOT66613L
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJE8402_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
SIHD3N50D-BE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
PJQ4444P-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
