Tillverkare Produktnummer:
AOM033V120X2
Product Overview
Tillverkare:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
AOM033V120X2-DG
Beskrivning:
1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 300W (Ta) Through Hole TO-247-4L
Inventarier:
13003972
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
AOM033V120X2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
15V
rds på (max) @ id, vgs
43mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 17.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 15 V
Vgs (max)
+15V, -5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2908 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4L
Paket / Fodral
TO-247-4
Grundläggande produktnummer
AOM033
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
240
Andra namn
785-AOM033V120X2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
